e
sv

Samsung ve IBM, Yarı İletken Çipler İçin Yeni Bir Teknik Geliştirdi

avatar

Mehmet

  • e

    Mutlu

  • e

    Eğlenmiş

  • e

    Şaşırmış

  • e

    Kızgın

  • e

    Üzgün

Samsung ve IBM, yarı iletken çip dizaynında bir atılım gerçekleştirdiklerini duyurdu. ABD, San Francisco’daki IEDM konferansı sırasında konuşan iki teknoloji devi, transistörleri dikey olarak istiflemek için daha yüksek performans yahut gelişmiş güç verimliliği sunan yeni bir teknik geliştirdiğini tez ediyor.

Halihazırda yarı iletken yongaları, yan yana akan akım ile silikon yüzey üzerinde düz bir halde uzanıyor. IBM ve Samsung’un yeni tasarımı ile transistörler çip yüzeyine dik olarak oturacak ve akım dikey olarak akacak. Bu yenilik, şirketlerin Moore Yasası performans sınırlamalarını atlamasına yahut daha düşük güç tüketimi nedeniyle güç tasarrufuna yardımcı olacak.

Bahsi geçen yeni teknolojiye VTFET (Diket Transfer Alan Tesirli Transistörler) ismi verilmiş. Şirketler, yeni çip tasarım teknolojisinin FinFET dizaynlarına kıyasla 2 kat daha fazla performans yahut %85 daha fazla güç verimliliği sunmasını bekliyor. Kripto madenciliği üzere belli ağır güç isteyen vazifeler için yeni teknoloji güç açısından son derece verimli olabilir. Bu da daha az çevresel tesire yol açmak manasına geliyor.

IBM ve Samsung, ticari eserlerde VTFET’i ne vakit görebileceğimizi açıklamış değil. Bununla birlikte, Intel dahil olmak üzere öteki rakip firmalar, angstrom ölçekli çipler üzerinde çalışıyor. Intel, bu çeşit çipleri 2024’ün sonuna kadar “Intel 20A” markası altında piyasaya sürmeyi planlıyor.

Son olarak yarı iletken çip üretimi için yenilik çalışmalarının bununla sonlu kalmadığını ve çeşitli teknolojilerin geliştirildiğini belirtelim.

  • Site İçi Yorumlar

En az 10 karakter gerekli